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压应变PMOS器件专利

专利号:201822242840.5

销售价
2000.00
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专利名称:压应变PMOS器件

技术领域:半导体器件

IPC主分类号:H01L29/16

申请号:CN201822242840.5

公开日:2019-09-10

说明书

一种压应变PMOS器件

技术领域

[0001] 本实用新型属半导体集成电路技术领域,特别涉及一种压应变PMOS器件。

背景技术

[0002] PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底、P型沟道,其中的多数载流子是空穴,少数载流子是电子,源漏区的掺杂类型是P型,PMOS及其构成的CMOS是集成电路必不可少器件。
[0003] 随着集成电路尺寸越来越小,器件的尺寸越来越接近其物理极限。因此,在这种情况下,必须研究新材料,新器件。从而提高器件的工作速度。而器件的工作速度取决于其驱动电流,在相同电压下要使得驱动电流增加,就要增加载流子的迁移速度,从而提高器件的性能。
[0004] 因此,必须采取一种新的沟道材料作为PMOS器件沟道,提升其迁移率,从而提升集成电路的速度,减小电路面积。实用新型内容
[0005] 为了提高PMOS器件的性能,本实用新型提供了一种压应变PMOS器件;本实用新型要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
[0006] 本实用新型的实施例提供了一种压应变PMOS器件,包括:Si衬底101、Ge外延层102、Ge沟道层103、栅极104、SiGe层105、源区106、漏区107、源极108、漏极109和介质层110;
其中,
[0007] 所述Ge外延层102和所述Ge沟道层103依次设置于所述Si衬底101上;所述栅极104设置于所述Ge沟道层103表面中间位置处;所述SiGe层105设置于所述Ge沟道层103表面且位于所述栅极104外侧;所述源区106和所述漏区107分别设置于所述SiGe层105外侧的所述Ge沟道层103内;所述源极108设置于所述源区106上;所述漏极109设置于和所述漏区107上;所述介质层110设置于所述Ge沟道层103、所述SiGe层105、所述源区106、所述漏区107和所述栅极104上。
[0008] 在本实用新型的一个实施例中,所述Si衬底101为N型Si衬底,厚度为2μm。
[0009] 在本实用新型的一个实施例中,所述Ge外延层102的厚度为460nm。
[0010] 在本实用新型的一个实施例中,所述Ge沟道层103为N型Ge沟道层,掺杂浓度为3×1016cm-3,厚度为910nm。
[0011] 在本实用新型的一个实施例中,所述栅极104包括栅介质层和栅接触层;其中,所述栅介质层的材料为HfO2,厚度为10nm;所述栅接触层的材料为Al-Cu,厚度为20nm。
[0012] 在本实用新型的一个实施例中,所述SiGe层105的厚度为10nm。
[0013] 在本实用新型的一个实施例中,所述源极108和漏极109的厚度为45nm。
[0014] 与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:本实用新型提供的压应变PMOS器件,通过引入埋SiGe层结构,在Ge沟道层引入了应力,实现直接带隙Ge沟道材料,从而提高了Ge沟道层的载流子迁移率;相对于传统PMOS器件,其载流子迁移率有了很大提升,提高了PMOS器件的电流驱动与频率特性。

附图说明

[0015] 为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016] 图1为本实用新型实施例提供的一种压应变PMOS器件结构示意图。

具体实施方式

[0017] 下面结合具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。
[0018] 实施例一
[0019] 请参见图1,图1为本实用新型实施例提供的一种压应变PMOS器件结构示意图,包括:Si衬底101、Ge外延层102、Ge沟道层103、栅极104、SiGe层105、源区106、漏区107、源极108、漏极109和介质层110;其中,
[0020] 所述Ge外延层102和所述Ge沟道层103依次设置于所述Si衬底101上;所述栅极104设置于所述Ge沟道层103表面中间位置处;所述SiGe层105设置于所述Ge沟道层103表面且位于所述栅极104外侧;所述源区106和所述漏区107分别设置于所述SiGe层105外侧的所述Ge沟道层103内;所述源极108设置于所述源区106上;所述漏极109设置于和所述漏区107上;所述介质层110设置于所述Ge沟道层103、所述SiGe层105、所述源区106、所述漏区107和所述栅极104上。
[0021] 优选地,所述Si衬底101为N型Si衬底,厚度为2μm。
[0022] 优选地,所述Ge外延层102的厚度为460nm。
[0023] 优选地,所述Ge沟道层103为N型Ge沟道层,掺杂浓度为3×1016cm-3,厚度为910nm。
[0024] 优选地,所述栅极104包括栅介质层和栅接触层;其中,所述栅介质层的材料为HfO2,厚度为10nm;所述栅接触层的材料为Al-Cu,厚度为20nm。
[0025] 优选地,述SiGe层105的厚度为10nm。
[0026] 优选地,所述源极108和漏极109的厚度为45nm。
[0027] 本实施例提供的压应变PMOS器件,通过引入埋SiGe层结构,在Ge沟道层引入了应力,实现直接带隙Ge沟道材料,从而提高了Ge沟道层的载流子迁移率;相对于传统PMOS器件,其载流子迁移率有了很大提升,提高了PMOS器件的电流驱动与频率特性。
[0028] 以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。

压应变PMOS器件委托购买说明

填写需求表单支付预付款

平台根据需求优化购买方案

确认购买方案支付尾款

平台办理变更等待成功通知

压应变PMOS器件购买流程说明

发起委托,需要先支付100元预付款,委托不成功,全额退返预付款;

平台收到需求后,会联系您,给到您购买方案;

您在确认购买方案后,需支付全额专利购买费,预付款可抵扣购买费,专利购买费具体参见下方表格;

平台确认收款后,将帮您办理专利购买、专利过户等全流程手续;

平台代购专利失败,将全额退返专利购买费,包括预付款;

压应变PMOS器件专利购买费用

授权未缴费=专利裸价+著录项变更(200元)+登办费(当年年费+5元印花税)+恢复权利请求费1000元(按实收)+委托服务费(200元)+税金(专利裸价+委托服务费)x6%

已下证=专利裸价+著录项变更(200元)+滞纳金(按实收)+恢复权利请求费1000元(按实收)+委托服务费(200元)+税金(专利裸价+委托服务费)x6%

压应变PMOS器件购买费用说明

专利转让费用

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。更多

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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